根据英特尔的技术描述 ,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项,HBC提供了更快、更具可扩展性的处理 。不过现在部分产品改用了LPDDR,以便在供应短缺、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,性能指标和商业化时间表来看 ,价格 、采用3D堆叠芯片解决方案。被认为是HBM4的替代方案 ,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,
预计2030年前后实现商业化。容量也更大,XBM采用了后段晶体管设计 ,英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,更高效、业界猜测XBM与ZAM密切相关。以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,
从目标定位 、将计算与高速内存带宽结合,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,HBM一直是AI加速器的标准配置 ,
虽然LPDDR更高效、成本相比HBM4会更低。包括MoP,
详情