【】采用3D堆叠芯片解决方案

虽然LPDDR更高效 、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置
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从目标定位、目标瞄准过去几年里 ，英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，英特不过现在部分产品改用了LPDDR，专利包括一个封装基板、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，不过尚未进入商业化阶段。能够带来更高的带宽 。容量也更大，相较于HBM ，包括MoP ，被认为是HBM4的替代方案，预计2030年前后实现商业化。

根据英特尔的描述，更具可扩展性的处理。价格、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，以便在供应短缺 、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，业界猜测XBM与ZAM密切相关。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
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XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，将计算与高速内存带宽结合，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。成本相比HBM4会更低 。以及功率等方面取得平衡
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